01、用于鲁棒金属化剖面的双层硬掩模
002、用于导向自组装的硅硬掩模层
003、硬掩模组合物、使用其形成图案的方法以及包括该图案的半导体集成电路装置
004、旋涂硬掩模材料
005、金属硬掩模开口刻蚀方法
006、原位金属硬掩模形状控制的脉冲电介质蚀刻工艺
007、用于硬掩模组合物的单体、包含该单体的硬掩模组合物、以及使用该硬掩模组合物形成图案的方法
008、用于形成硬掩模的组合物、利用其形成图案的方法以及包括所述图案的半导体集成电路装置
009、用于高鳍状物的硬掩模蚀刻停止层
010、包含透明像素和硬掩模的彩色滤光器
011、硬掩模表面处理
012、硬掩模组合物和形成图案的方法以及包括该图案的半导体集成电路器件
013、自对准多重图形化方法及硅基硬掩模组合物的应用
014、一种增强低介电材料对TiN硬掩模刻蚀选择性的方法
015、硬掩模
016、硬掩模间隙壁结构及其制作方法
017、无需使用CMP工艺去除SOI衬底上硬掩模的结构和方法
018、采用硬掩模形成金属线和通孔
019、复合可移除硬掩模
020、超高选择性的掺杂非晶碳可剥除硬掩模的开发与集成
021、光阻材料及硬掩模前驱物的原子层沉积
022、活动硬掩模的等离子体刻蚀过程中的原地光刻胶剥离
023、金属硬掩模的制造
024、定义深沟槽用的硬掩模层的图案化方法
025、氮掺杂的非晶碳硬掩模
026、孔洞在先的硬掩模限定
027、使用硬掩模的滤色器图案化
028、平坦化蚀刻硬掩模以增加图案密度与纵横比
029、在半导体制造工艺中形成硬掩模的方法
030、具有非均一电流路径的自旋力矩驱动的磁性隧道结及用于形成所述磁性隧道结的复合硬掩模架构
031、用于应变硅MOS晶体管的使用硬掩模的刻蚀方法和结构
032、硬掩模组合物和形成图案的方法以及包括该图案的半导体集成电路器件
033、用显影剂-裁切的硬掩模形成光刻结构的方法
034、用于超厚顶层金属的先沟槽金属硬掩模双大马士革工艺
035、一种超厚顶层金属的金属硬掩模双大马士革工艺
036、一种侧墙硬掩模接触孔/通孔刻蚀技术
037、一种无定形碳硬掩模的等离子体刻蚀方法
038、使用聚硅氮烷形成反色调图像的硬掩模方法
039、用硬掩模及两次曝光形成半导体元件的接触及导通孔
040、形成反色调图像的硬掩模方法
041、用于有机器件的双层硬掩模
042、硬掩模材料
043、采用双硬掩模涂层制造CMOS图像传感器的方法
044、用来通过多次暗视场曝光对硬掩模进行图案化的在线法
045、使用非晶碳上的氮氧化硅的硬掩模制造3-D集成电路的方法
046、活动硬掩模的等离子体刻蚀过程中的原地光刻胶剥离
047、硬掩模开口以及利用硬掩模开口的蚀刻形貌控制
048、用于抗蚀剂下层膜的硬掩模组合物及使用该组合物生产半导体集成电路器件的方法
049、在沟槽蚀刻期间保护图案化特征的导电硬掩模
050、没有残余物的硬掩模修整
051、半导体器件硬掩模图案及其形成方法
052、在半导体器件中形成硬掩模图案的方法
053、半导体制造工艺中去除栅上硬掩模的方法
054、一种改善深沟槽刻蚀的氧化物硬掩模轮廓的方法
055、在半导体器件中形成硬掩模图案的方法
056、用于材料构图的硬掩模结构
057、复合硬掩模层、金属氧化物半导体晶体管及其制作方法
058、半导体器件中用硬掩模层的蚀刻斜坡形成精细图案的方法
059、修整硬掩模层的方法、形成晶体管栅极的方法和堆叠结构
060、用于应变硅MOS晶体管的使用硬掩模的刻蚀方法和结构
061、方法、对齐标记和硬掩模材料的使用
062、硬掩模层与半导体元件的制造方法
063、硬掩模叠层和图案化方法
064、有机硅烷硬掩模组合物以及采用该组合物制造半导体器件的方法
065、抗蚀底膜的硬掩模层组合物及半导体集成电路装置的制造方法
066、使用高选择性硬掩模形成沟槽的方法及使用该方法的半导体器件隔离方法
067、对碳基硬掩模进行开口的方法
068、使用应变硅晶体管栅极图案化用硬掩模的方法和结构
069、采用新硬掩模的应变源漏制作方法
070、沉积用于金属刻蚀硬掩模应用的无定型碳膜的方法
071、多层膜作为硬掩模和抗反射层的应变源漏CMOS的制作方法
072、形成硬掩模用涂布型氮化膜的组合物
073、用于制造硬掩模的方法和硬掩模结构
074、构成用于腐蚀FINFET的硅翅的终硬掩模的三掩模方法
075、用于应变硅MOS晶体管的金属硬掩模方法和结构
076、无氮介电防反射涂层和硬掩模
077、硬掩模的后等离子清洁处理
078、一种无硬掩模的浅槽隔离工艺
079、使用钛硬掩模刻蚀金金属层的方法和装置
080、用于限制临界尺寸增大的硬掩模的方法
081、用易处理的硬掩模制作沟槽式电容器
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