01、一种超结器件制备工艺
002、一种超结器件的制备方法
003、一种超结器件的制备方法
004、超结半导体器件及制造方法
005、超结器件
006、超结MOSFET及其制造方法和复合半导体装置019、一种提高超结功率器件雪崩耐量的终端结构
020、制造超结半导体器件和半导体器件
021、超结沟槽式金属氧化物半导体场效应晶体管及其制备方法
022、超结集电区应变硅异质结双极晶体管
023、一种具有超结结构的半导体器件
024、一种超结功率器件版图结构
025、纵向超结金属氧化物场效应晶体管
026、一种具有网状外延结构的超结MOSFET
027、一种适用于深槽超结器件的结终端及其制备方法
028、超结器件和包括所述超结器件的半导体结构
029、超结器件和包括所述超结器件的半导体结构
030、超结器件和包括该超结器件的半导体结构
031、超结的制作方法
032、PIN超结结构
033、包括单元区域和边缘区域的超结半导体器件
034、基于超结槽栅的高压器件及其制作方法
035、基于超结漏场板的槽栅高压器件及其制作方法
036、一种具有超结结构的半导体器件
037、用于功率器件的超结结构及制造方法
038、基于超结漏场板的AlGaN/GaN高压器件及其制作方法
039、基于超结漏场板的AlGaN/GaN MISHEMT高压器件及其制作方法
040、带有超结结构的高压晶体管及其制备方法
041、具有超结结构的横向功率器件及制作方法
042、基于超结的AlGaN/GaN MISHEMT高压器件及其制作方法
043、基于超结的AlGaN/GaN高压器件及其制作方法
044、介电终止的超结FET
045、一种超结功率器件版图结构及制作方法
046、一种可提高器件耐压的超结制造方法
047、一种超结高压器件的制造方法
048、一种超结结构的制造方法
049、超结肖特基PIN二极管
050、纵向超结金属氧化物场效应晶体管
051、一种高压超结终端结构
052、一种高压超结IGBT的制作方法
053、一种高度电荷平衡超结器件的制作方法
054、超结半导体装置
055、外延片、其生产方法及超结功率器件
056、具有倾斜超结漂移结构的DMOS晶体管
057、一种超结MOSFET器件
058、双层超结肖特基二极管
059、具有半超结结构的IGBT
060、具有超结结构的高压IGBT
061、一种具有P型辅助埋层的半超结VDMOS
062、一种具有超结埋层的横向扩散金属氧化物半导体器件
063、一种超结沟槽金属氧化物半导体场效应管及其制造方法
064、一种制作超结MOSFET的方法
065、优化体二极管反向恢复特性的超结VDMOS及制备方法
066、可改善雪崩能力的超结半导体器件的制备方法
067、一种超结器件的结终端结构及其制造方法
068、包括存储区和边缘区的超结半导体器件
069、一种超结功率器件及其制造方法
070、P型超结横向双扩散MOSFET器件
071、用于功率器件的超结结构及制造方法
072、一种横向高压超结功率半导体器件
073、一种沟槽超结半导体装置及其制备方法
074、一种超结MOSFET器件及其制造方法
075、半导体器件及其制造方法、集成电路以及超结半导体器件
076、一种部分SOI超结高压功率半导体器件
077、包括超结结构的半导体器件和制作方法
078、超结功率器件及其形成方法
079、一种无源超结半导体装置及其制备方法
080、一种无源超结沟槽MOS半导体装置及其制造方法
081、一种具有绝缘层隔离超结结构肖特基半导体装置及其制备方法
082、一种超结MOSFET的制备方法
083、超结MOSFET
084、一种离子自对准注入的超结MOSFET及其制造方法
085、氮化镓超结器件
086、具有超结结构的半导体器件及其制造方法
087、一种肖特基超结半导体装置及其制备方法
088、一种超结肖特基半导体装置及其制备方法
089、一种具有超结结构的沟槽肖特基半导体装置及其制备方法
090、一种具有超结结构的肖特基半导体装置及其制备方法
091、一种超结LDMOS器件
092、一种具有超结沟槽MOS结构的半导体装置及其制造方法208、具有超结结构的半导体器件及其制造方法
209、P型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管
210、N型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管
211、一种基于垂直栅SOI CMOS器件的超结结构及其制作方法
212、P型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管
213、N型超结横向双扩散半导体金属氧化物晶体管
214、超结功率半导体器件
215、N沟道超结纵向双扩散金属氧化物半导体管
216、制备超结VDMOS器件的方法
217、超结纵向双扩散金属氧化物半导体管
218、具有电介质终止的超结半导体器件及制造该器件的方法
219、超结沟槽器件及方法
220、用于高电压超结终端的工艺
221、具有超结结构的半导体器件及其制造方法
222、氧化物填充扩展沟槽栅超结MOSFET及其制造方法
223、具有氧化物衬里沟槽的超结器件和制造具有氧化物衬里沟槽的超结器件的方法
224、具有超结结构的半导体器件及其制造方法
225、超结半导体器件结构和方法
226、具有超结结构的半导体器件及其制造方法
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